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  嵌段聚合物可以自發(fā)組裝為尺寸周期低于100nm以下納米的結構，進而作為制備具有特定納米結構材料的模板。嵌段共聚物尺寸小且有高產易得的優(yōu)異特點，使其得到了廣泛的關注和研究。基于嵌段聚合物的納米刻蝕技術被認為是最重要的下一代刻蝕技術之一。為了實現納米刻蝕技術的應用，需要解決嵌段聚合物滿足垂直取向形貌控制和局部圖案調控兩方面的難題。 

  在中國科學院先導專項的大力支持下，中科院化學所分子納米結構與納米技術院重點實驗室的科研人員在嵌段聚合物自組裝形貌控制方法方面取得系列進展。在前期的研究工作中，科研人員利用石墨烯不可浸透性和界面能的可調控性，調控得到了自支撐的垂直取向嵌段聚合物薄膜。最近，他們首次提出了使用表面駐極體調控嵌段聚合物的自組裝形貌。利用電子束輻射SiO2/Si基底，制備出表面充電的駐極體，之后利用其產生的局域電場，對嵌段聚合物薄膜組裝進行控制，成功實現了PS-b-PMMA薄膜的垂直取向控制。此方法具有操作窗口寬，適用于多種駐極體基底，可以達到大面積均一取向薄膜等特點。此外，結合電子束直寫技術可以在特定區(qū)域形成局域電場，進而可以得到可任意定制的薄膜圖案（見圖1），實現特定區(qū)域形貌取向的調控。更為重要的是，他們通過構筑極小尺寸的駐極體，得到了單個或多個嵌段共聚物組裝單元的取向控制（見圖2），實現了嵌段共聚物自組裝的極限分辨率，為實現納米圖案精確定位提供了可能。該結果以全文形式發(fā)表在《自然通訊》（Nat. Commun., 2016, 7, 10752）上。