光子晶體由于其具有調(diào)控光的能力,從而引起了人們廣泛的研究興趣。同時在超痕量檢測、快速傳感、新型光學(xué)設(shè)備等領(lǐng)域有了長足的進(jìn)展。最近,膠體晶體固有的缺陷也逐步被解決和完善。例如,采用低粘/超疏水或圖案基材可以克服傳統(tǒng)自助裝過程中裂紋的形成,同時發(fā)展了光子晶體自修復(fù)方法。結(jié)構(gòu)色角度的依賴性可以通過光晶微球,各項(xiàng)異性的組裝單元或是仿生結(jié)構(gòu)來消除。事實(shí)上,光子晶體的溶劑響應(yīng)性雖然可以使其應(yīng)用在傳感檢測領(lǐng)域,但是限制了其在某些領(lǐng)域的應(yīng)用,如戶外涂層。最近,有一些方法來制備溶劑環(huán)境中光子晶體禁帶不變。例如,通過氟化修飾的具有三角錐凸起結(jié)構(gòu)的雙疏表面或是PDMS或SiO2填充到乳膠微球的縫隙中。但是這些方法需要復(fù)雜的光刻技術(shù)或是特殊的核殼結(jié)構(gòu)微球的合成,因此對于制備溶劑環(huán)境中光子禁帶不變的膠體光子晶體仍然是困難的。
最近,中科院理化所王京霞研究員通過在石墨烯量子點(diǎn)表面接枝可聚合的硅烷側(cè)鏈和反蛋白石結(jié)構(gòu)制備過程中引入低溫過程,得到了高強(qiáng)度的閉孔結(jié)構(gòu)碳點(diǎn)光子晶體。進(jìn)一步考察了30多種不同性質(zhì)的溶劑在樣品表面的浸潤行為,發(fā)現(xiàn)樣品主要是在低極性和粘度大的溶劑環(huán)境中可以保持光子晶體的禁帶不變,同時由于樣品表面聚合硅烷側(cè)鏈的存在,使溶劑呈現(xiàn)出親液不浸潤的行為。通過分析,造成這種特殊浸潤性的原因是表面硅烷側(cè)鏈的存在使溶劑呈現(xiàn)親液的狀態(tài),同時石墨烯量子點(diǎn)組成的高極性壁壘有效的阻止了低極性溶劑的滲透。利用非極性/極性溶劑對于碳點(diǎn)光子晶體不同的浸潤行為,成功制備了2維/3維的光子晶體圖案。相關(guān)研究成果發(fā)表在ACS Applied. Mater. Interfaces, 2018, DOI:10.1021/acsami.7b17936. 研究人員同時深入研究了碳點(diǎn)光子晶體的多重光學(xué)性能,如“三色熒光”,熒光增強(qiáng)等。同時利用硅柱模板法和高溫引起的樣品光子帶隙的藍(lán)移制備了防偽圖案。相關(guān)工作發(fā)表在Nanoscale, 2018, 10.1039/C7NR09387J.
通過傳統(tǒng)的“犧牲模板法”同時結(jié)合低溫過程中乳膠微球的收縮而造成的碳點(diǎn)的充分填充,成功制備了閉孔結(jié)構(gòu)的碳點(diǎn)光子晶體。并通過SEM,TEM和AFM對樣品進(jìn)行表征。某些溶劑在樣品表面呈現(xiàn)出特殊的親液不浸潤的行為。
圖1(A1)碳點(diǎn)的化學(xué)結(jié)構(gòu),(A-C)閉孔碳點(diǎn)光子晶體的制備過程,(B1-B2)低溫過程中乳膠微球的收縮是造成樣品閉孔結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵,(D, D1)某些溶劑在樣品表面呈現(xiàn)出親液不浸潤的行為,(E,F)樣品SEM,TEM和AFM圖像。(G)碳點(diǎn)形成的聚合物網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。
隨后,將異丙醇、橄欖油、DMSO等溶劑滴加在樣品表面,溶劑在樣品表面呈現(xiàn)鋪展的行為,同時樣品的光子禁帶和結(jié)構(gòu)色保持不變。
圖2 異丙醇、橄欖油、DMSO等溶劑在樣品表面呈現(xiàn)的親液不浸潤行為。
為了探究這種特殊浸潤性的原因,我們制備了開孔的碳點(diǎn)光子晶體,閉孔的裸碳點(diǎn)光子晶體和閉孔的硅烷光子晶體。通過考察溶劑在其表面的浸潤行為,得出的結(jié)論是閉孔結(jié)構(gòu)和裸碳點(diǎn)的存在是造成這種特殊浸潤性不可或缺的因素。進(jìn)一步研究了30多種不同的溶劑在閉孔碳點(diǎn)光子晶體表面的浸潤行為,發(fā)現(xiàn)主要是低極性或高粘度的溶劑有這種特殊的親液不浸潤的行為。
圖3(A)溶劑在不同樣品表面時造成的樣品光子禁帶的變化,(B)正己烷在不同樣品表面的接觸角和造成樣品的光子禁帶的變化,(C)對硅烷,碳點(diǎn)和裸碳點(diǎn)的XPS表征,(D)不同溶劑在閉孔碳點(diǎn)光子晶體表面時引起的樣品光子禁帶的變化。
進(jìn)一步,根據(jù)溶劑的極性,浸潤狀態(tài)和引起的閉孔碳點(diǎn)光子晶體的帶隙變化,將溶劑分為以下三類:
造成親液不浸潤行為的原因是樣品表面的聚合硅烷側(cè)鏈?zhǔn)谷軇┰谄浔砻娉尸F(xiàn)鋪展的狀態(tài),同時石墨烯量子組成的高極性壁壘有效的阻止了低極性溶劑的滲透。值得注意的是,由于閉孔結(jié)構(gòu)且孔內(nèi)高壓力的存在,溶劑無法浸潤到孔中,僅僅會引起碳點(diǎn)聚合物網(wǎng)絡(luò)的膨脹。利用非極性/極性溶劑對于碳點(diǎn)光子晶體不同的浸潤行為,成功制備了2維/3維光子晶體圖案并通過樣品斷面EDX對其進(jìn)行了表征。
圖4(A,B)不同浸潤狀態(tài)的機(jī)理分析,(C,D)2維/3維光子晶體圖案的制備及相關(guān)表征。
最后,由于石墨烯量子點(diǎn)的存在,使樣品具備了光限幅行為。值得注意的是,碳點(diǎn)光子晶體由于光子晶體結(jié)構(gòu)存在而表現(xiàn)出了優(yōu)化的且可調(diào)制的光限幅行為。
圖5(A,B)樣品光限幅行為,(C,D)樣品Z掃描曲線。
碳點(diǎn)光子晶體由于光子晶體結(jié)構(gòu)的存在,增加了其與激發(fā)光和發(fā)射光之間的相互作用,從而使其熒光壽命延長和熒光強(qiáng)度增加。同時基于不同的帶隙,可以實(shí)現(xiàn)不同程度的熒光增強(qiáng)。
圖6(A)碳點(diǎn)聚合物的熒光發(fā)射光譜,(B)碳點(diǎn)溶液,碳點(diǎn)聚合物和碳點(diǎn)光子晶體的熒光壽命曲線,(C)不同帶隙的碳點(diǎn)光子晶體的反射光譜和碳點(diǎn)熒光發(fā)射峰的位置。(D)碳點(diǎn)聚合物和不同帶隙的碳點(diǎn)光子晶體在560 nm光激發(fā)下的熒光發(fā)射光譜,(E,F)不同帶隙的碳點(diǎn)光子晶體相較于碳點(diǎn)聚合物的熒光增強(qiáng)倍數(shù)。
通過硅柱模板法制備了具有雙層結(jié)構(gòu)的微圖案化的碳點(diǎn)光子晶體,同時結(jié)合碳點(diǎn)獨(dú)有的“三色熒光”的性質(zhì),可以使其很好的應(yīng)用在防偽領(lǐng)域。值得注意的是,在圖案的邊緣由于薄的聚合碳點(diǎn)層的存在,使樣品的反射光譜發(fā)生了變形。
圖7(A-D)硅柱模板法制備雙層結(jié)構(gòu)的微圖案化的碳點(diǎn)光子晶體,(E)制備圖案的光學(xué)和熒光圖像的表征,(F)制備圖案的SEM圖像和圖案不同區(qū)域的反射光譜的表征。
進(jìn)一步,利用在高溫下孔結(jié)構(gòu)在豎直方向的收縮而造成的藍(lán)移現(xiàn)象,將加熱的鐵棒在樣品表面進(jìn)行書寫,控制鐵棒與樣品不同的接觸時間,可以制備出多色的光子晶體圖案。同時利用圖案區(qū)域和背景區(qū)域不同的帶隙,實(shí)現(xiàn)了有區(qū)別的熒光強(qiáng)度圖案。
本成果在國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(51673207, 51373183和51561145004)和MOST of china(2017YFA0204504,2016YFA0200803和2016YFB0402004)的資助下完成。
論文鏈接:
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