近日,來(lái)自華南理工大學(xué)的覃東歡副研究員、莫越奇研究員和暨大侯林濤研究員等人在Nano Energy發(fā)文,題為:“High-efficient nanocrystal solution-processed CdTe nanocrystal solar cells incorporating a novel crosslinkable conjugated polymer as the hole transport layer”。研究人員將一種新型的可交聯(lián)(熱交聯(lián)溫度120度左右)聚合物(二苯基硅烷-co-4-乙烯基-三苯胺)(Si-TPA)作為空穴傳輸層(HTL)用于溶液法制備的CdTe納米晶太陽(yáng)能電池。研究人員發(fā)現(xiàn)與沒(méi)有HTL或者其他高分子HTLs的器件相比,采用Si-TPA HTL的器件展現(xiàn)出了更優(yōu)異的性能。加入Si-TPA 所帶來(lái)的性能提升研究人員認(rèn)為是Si-TPA與CdTe偶極子效應(yīng),同時(shí)與碲化鎘的能級(jí)更加匹配,大幅減少背復(fù)合效應(yīng)。提升的填充因子表明空穴和電子在含有Si-TPA的器件中更加平衡。研究發(fā)現(xiàn),所制備的具有ITO/ZnO/CdSe/CdTe/Si-TPA/Au 結(jié)構(gòu)的器件,PCE為8.34%(而不使用傳輸層材料的對(duì)比器件ITO/ZnO/CdSe/CdTe/Au效率僅為5.6%),這是目前溶液法制備的具有倒置結(jié)構(gòu)的CdTe 納米晶太陽(yáng)能電池的最高紀(jì)錄。
與此同時(shí),將Si-TPA應(yīng)用于另一種碲化鎘納米晶電池(器件結(jié)構(gòu)為ITO/ZnO/CdS/CdTe/Si-TPA/Au,受體層為CdS納米晶),也獲得了7.27%的PCE(作為參比器件ITO/ZnO/CdS/CdTe/Au最高效率僅為3.6%),顯然使用Si-TPA傳輸層的器件效率提升了一倍,表明這種熱交聯(lián)聚合物具有廣泛的適用性。
圖1. CdTe太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖
CdTe/CdSe太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖,Si-TPA 化學(xué)結(jié)構(gòu),CdTe, CdSe, ZnO, ITO, Si-TPA 和Au的能級(jí).
圖2. Si-TPA表征
(a) Si-TPA在乙腈溶液中的CV曲線;
(b) Si-TPA在甲苯溶液中的吸收度;
(c) Si-TPA紅外吸收譜;
(d) XPS圖:Cd 3d,N 1s.
圖3. CdSe/CdTe 納米晶太陽(yáng)能電池J-V特性
(a) CdSe/CdTe 納米晶太陽(yáng)能電池w/o Si-TPA (器件結(jié)構(gòu): ITO/ZnO/CdSe/CdTe/Si-TPA(w/o)/Au) 在1000Wm?2 (AM1.5 G) 照射下的J-V特性;(b) 暗態(tài);(c)相應(yīng)EQE譜;(d) CdS/CdTe 納米晶太陽(yáng)能電池w/o Si-TPA (器件結(jié)構(gòu): ITO/ZnO/CdS/CdTe/Si-TPA(w/o)/Au) 光照下的J-V特性;(e) 暗態(tài);(f) 相應(yīng)EQE譜;(器件A和器件C 用Si-TPA HTL, 器件B和器件D無(wú)Si-TPA HTL).
圖4. 納米晶太陽(yáng)能電池的J-V特性
(a)不同HTLs的納米晶太陽(yáng)能電池的J-V特性;
(b) 相應(yīng)EQE譜;
圖5. Si-TPA器件C-V特性
(a) w/o Si-TPA器件C-V特性;
(b)一個(gè)在偶極層 (Si-TPA)在CdTe/Au界面對(duì)能級(jí)影響的示意圖;
研究人員開(kāi)發(fā)了一種新型的可熱交聯(lián)的聚合物Si-TPA,它可以作為納米晶太陽(yáng)電池的空穴傳輸層。通過(guò)在CdTe/Au之間引入一層交聯(lián)的Si-TPA(約20nm,可溶液加工),使器件的開(kāi)路電壓、填充系數(shù)和短路電流同時(shí)得到增強(qiáng),從而達(dá)到了8.34%的高功率轉(zhuǎn)換效率,這是目前文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)中具有倒置結(jié)構(gòu)的碲化鎘納米晶太陽(yáng)電池的最高水平。結(jié)果表明,采用Si-TPA的器件在120℃的優(yōu)化交聯(lián)溫度下,具有較高的Vbi和較好的空穴遷移率,這對(duì)于載流子的高效收集和減少?gòu)?fù)合至關(guān)重要。這種簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)也可以用于其它的納米晶系統(tǒng),例如n型CdS 納米晶太陽(yáng)能電池,具有很高的PCE:7.27%,幾乎是沒(méi)有使用Si-TPA的兩倍,這說(shuō)明了該聚合物具有廣泛的適應(yīng)性。
論文鏈接:https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2211285518300582?via%3Dihub#!
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