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用于HIT 太陽能電池的本征非晶硅薄膜  
用于HIT 太陽能電池的本征非晶硅薄膜
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： 本征非晶硅薄膜  HIT  PECVD  
資料大?。?/td> 211K
所屬學(xué)科： 分子表征
來源： 2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡介：
帶本征薄層的異質(zhì)結(jié)(HIT)太陽能電池要求本征非晶硅薄膜具有生長速率低，暗電導(dǎo)大，光學(xué)帶隙寬的特點(diǎn)。采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)制備符合HIT太陽能電池要求的本征非晶硅薄膜，并通過分析薄膜的透射光譜，采用Tauc法計(jì)算了薄膜的光學(xué)帶隙，為約1.87eV。，襯底溫度為180℃，放電功率為80W時(shí)獲得的薄膜性能最佳。
作者： 宋佩珂，曾祥斌，張銳，趙伯芳
上傳時(shí)間： 2008-08-14 17:20:11
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相關(guān)評論 共有2人發(fā)表評論 更多評論
solez    2009-05-25 14:05:10
whahaha
07wxt    2008-12-11 15:21:40
hahahahhaha
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