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THz量子級(jí)聯(lián)激光器的材料生長(zhǎng)和器件制作  
THz量子級(jí)聯(lián)激光器的材料生長(zhǎng)和器件制作
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： 太赫茲  量子級(jí)聯(lián)激光器  分子束外延  
資料大?。?/td> 291K
所屬學(xué)科： 分子表征
來源： 2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡(jiǎn)介：
采用分子束外延的方法，生長(zhǎng)了GaAs/Al0.17Ga0.85As基共振聲子輔助躍遷的太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器結(jié)構(gòu)，并按照單面金屬波導(dǎo)的工藝進(jìn)行了器件制作。材料的結(jié)構(gòu)由高分辨X射線衍射來確定。在溫度為9～150K的范圍內(nèi)，測(cè)量了器件的I-V曲線。
作者： 韓英軍，黎 華，譚智勇，曹俊誠(chéng)
上傳時(shí)間： 2008-09-11 15:35:30
下載次數(shù)： 27
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