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p-Si TFT柵絕緣層用SiN薄膜的制備與研究  
p-Si TFT柵絕緣層用SiN薄膜的制備與研究
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： PECVD  SiN薄膜  反應(yīng)源氣體流量比  反應(yīng)壓強(qiáng)  
資料大?。?/td> 277K
所屬學(xué)科： 分子表征
來(lái)源： 2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡(jiǎn)介：
以NH3和SiH4為反應(yīng)源氣體，采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（RF-PECVD）法在多晶硅（p-Si）襯底上沉積了一系列SiN薄膜并進(jìn)行了相關(guān)性能測(cè)試。系統(tǒng)地分析討論了反應(yīng)源氣體流量比和反應(yīng)壓強(qiáng)對(duì)SiN薄膜介電常數(shù)、電學(xué)性能及界面特性的影響。在制備高質(zhì)量的p-SiTFT柵絕緣層用SiN薄膜方面具有重要的參考價(jià)值。
作者： 張化福，劉漢法，祁康成
上傳時(shí)間： 2008-09-11 15:27:51
下載次數(shù)： 28
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