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真空熱處理制備β-FeSi2光電薄膜的研究 |
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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
光電薄膜 β-FeSi2 真空熱處理 磁控濺射 |
| 資料大?。?/td>
| 381K |
| 所屬學(xué)科： |
分子表征 |
| 來源： |
2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡介： |
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磁控濺射法沉積的Fe/Si多層膜和Fe單層膜經(jīng)真空熱處理后制備了β-FeSi2薄膜。[Fe1nm/Si3.2nm]60多層膜在＜880℃溫度下真空熱處理2h后，樣品均呈現(xiàn)β(220)/(202)擇優(yōu)取向，而Fe單層膜制備的樣品則易形成β-FeSi2與ε-FeSi相的混合物，且取向雜亂。在920℃真空熱處理后，兩種樣品都形成了α-FeSi2薄膜。原子力顯微鏡分析表明，樣品表面粗糙度隨熱處理溫度升高而變大，最大表面均方根粗糙度約為16nm。盧瑟福背散射分析發(fā)現(xiàn)，F(xiàn)e/Si多層膜樣品熱處理過程中元素再分布很小。根據(jù)光吸收譜測量，F(xiàn)e/Si多層膜制備的β-FeSi2薄膜的禁帶寬度為0.88eV。 |
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| 作者： |
沈鴻烈，高 超，黃海賓
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| 上傳時間： |
2008-09-08 14:36:28 |
| 下載次數(shù)： |
30 |
| 消耗積分： |
2
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