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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關鍵詞： |
非線性光學材料 非臨界位相匹配 密度泛函理論 |
| 資料大?。?/td>
| 338K |
| 所屬學科： |
分子表征 |
| 來源： |
2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡介： |
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通過第一性原理研究II-IV-V2族CKP半導體中的CdSiAs2，計算了其雙折射性，量化了雙折射性同應力的線性關系，它的負雙折射性使之能夠通過應力、溫度調節(jié)以及同CdGeAs2混合來設計非臨界位相匹配材料。計算顯示，少量的參雜Ge（＜5%），能夠實現(xiàn)非臨界位相匹配I類二次諧波產生（SHG）在CO2激光譜線范圍可調諧，它可能具有很高的有效χ(2)。 |
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| 作者： |
姜曉庶, Walter R. L. Lambrecht
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| 上傳時間： |
2008-09-09 16:38:04 |
| 下載次數(shù)： |
34 |
| 消耗積分： |
2
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