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  阻變存儲(chǔ)器(RRAM)是構(gòu)筑下一代信息技術(shù)的核心部件之一，其通常采用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)(分別表示為“0”和“1”)的物理器件(存儲(chǔ)單元)來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。開(kāi)發(fā)基于新結(jié)構(gòu)、新原理和新材料的新型存儲(chǔ)器，對(duì)信息技術(shù)的發(fā)展至關(guān)重要。聚合物阻變存儲(chǔ)器是一種新興的信息技術(shù)，由兩個(gè)電極和活性功能層的三明治結(jié)構(gòu)組成，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、元件尺寸小、易于三維堆砌、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，備受到學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注。當(dāng)前聚合物阻變存儲(chǔ)研究思路主要集中于阻變存儲(chǔ)材料的理性設(shè)計(jì)、可控制備及器件性能評(píng)價(jià)。在阻變存儲(chǔ)器實(shí)際工作時(shí)，構(gòu)建具有低轉(zhuǎn)變（寫(xiě)入）電壓的聚合物阻變存儲(chǔ)器對(duì)實(shí)現(xiàn)超低功耗阻變存儲(chǔ)器具有實(shí)際意義。所以，精確調(diào)控聚合物阻變存儲(chǔ)器的寫(xiě)入電壓非常關(guān)鍵。

  近期，南京工業(yè)大學(xué)先進(jìn)材料研究院黃維院士、劉舉慶教授課題組提出了一種基于界面工程調(diào)控聚合物阻變存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)變電壓的新策略。通過(guò)在褶皺還原氧化石墨烯（w-rGO）電極表面修飾銀納米顆粒（Ag NPs），利用銀納米顆粒的修飾數(shù)量實(shí)現(xiàn)電極表面粗糙度的連續(xù)調(diào)控，進(jìn)而成功實(shí)現(xiàn)了聚合物（絕緣聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作為介質(zhì)層）阻變存儲(chǔ)器寫(xiě)入電壓的精準(zhǔn)控制。優(yōu)化器件具有超低的寫(xiě)入電壓、高開(kāi)關(guān)電流比和理想的長(zhǎng)保持時(shí)間。其中，寫(xiě)入電壓遠(yuǎn)低于目前已經(jīng)報(bào)道的以PMMA作為活性層的聚合物阻變存儲(chǔ)器。該研究為從界面納米結(jié)構(gòu)工程調(diào)控阻變存儲(chǔ)器寫(xiě)入電壓提供了新途徑，助推了低功耗阻變存儲(chǔ)器的研究發(fā)展。

  相關(guān)工作以“Control of Resistive Switching Voltage by Nanoparticle-Decorated Wrinkle Interface”為題，發(fā)表在Advanced Electronic Materials (DOI: 10.1002/aelm.201800503)上。

  論文鏈接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/aelm.201800503