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上海交大黃興溢教授《Science Bulletin》:高導(dǎo)熱電極化儲能納米復(fù)合電介質(zhì)
2021-11-17  來源:高分子科技

  聚合物電介質(zhì)憑借超快的能量轉(zhuǎn)換速率、極高的耐電能力以及優(yōu)異可加工性等優(yōu)點,在電力裝備與電力電子(如脈沖功率系統(tǒng)、逆變器、高壓直流換流閥)中有著廣泛的應(yīng)用。隨著電氣技術(shù)的快速發(fā)展,電力裝備和電子器件向著小型化、 集成化和高性能化的發(fā)展,目前所使用的低介電常數(shù)聚合物電介質(zhì)已難以實現(xiàn)高密度電極化儲能的目標(biāo)。弛豫鐵電聚合物具有高介電常數(shù)和優(yōu)異的加工性,在高電極化儲能應(yīng)用中潛力巨大。然而,弛豫鐵電聚合物熱導(dǎo)率較低且機械性能差,在高電場下易受電離的高能電子破壞,電荷存儲能力差。


  針對這一難題,上海交通大學(xué)黃興溢教授等提出了利用化學(xué)吸附制備高導(dǎo)熱電極化儲能納米復(fù)合電介質(zhì)的無基質(zhì)策略。該策略利用氮化硼納米片(BNNS)表面化學(xué)吸附氨基功能化的聚偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯(P(VDF-TrFE-CFE)- -g-PME-NH2)大分子,使聚合物復(fù)合介質(zhì)的導(dǎo)熱系數(shù)可達(dá)2.42 W/mK,放電能量密度由5.2 J cm-3大幅增加到31.8 J cm-3相關(guān)工作以“Chemical adsorption on 2D dielectric nanosheets for matrix free nanocomposites with ultrahigh electrical energy storage”在線發(fā)表在《Science Bulletin》。


  根據(jù)O''''Dwyer提出固體介質(zhì)的擊穿理論,固體內(nèi)的載流子(如,陰極注入的電子)在電場加速下與大分子鏈或其它雜質(zhì)發(fā)生碰撞電離(collision ionization,),會產(chǎn)生大量離子化的電荷(如正電荷)。這些離子化的電荷會增強電場(如正電荷會增強陰極附近的電場),進(jìn)一步造成載流子注入或碰撞電離,導(dǎo)致電介質(zhì)中的電導(dǎo)急速增加,引發(fā)擊穿。局域化的負(fù)電荷對注入的電子有排斥作用,從而可抑制或減弱碰撞電離的產(chǎn)生。通過密度泛函理論分析,團(tuán)隊發(fā)現(xiàn)氨基與BNNS中的硼原子之間具有強烈的化學(xué)吸附作用,且硼原子上的電子云向氨基方向富集,因而在BNNS表面吸附氨基可形成電子屏障層。


圖1 材料合成及密度泛函理論分析。無基質(zhì)納米復(fù)合電介質(zhì)的制備過程(a);共混物P(VDF-TrFE-CFE)/BNNS (b)、無基質(zhì)納米復(fù)合電介質(zhì)P(VDF-TrFE-CFE)-g-PME-NH2-BNNS (c)和P(VDF-TrFE-CFE)-g-PME-NH2-BNNS-epoxy (d)的自旋極化計算,BE為結(jié)合能,d為聚合物鏈與BNNS間距,Δq為電荷轉(zhuǎn)移量;BNNS表面電子斥電子層(黃色)對電子的阻擋效應(yīng)的示意圖(e)。


  通過拉伸電介質(zhì)薄膜,實現(xiàn)復(fù)合介質(zhì)內(nèi)部的BNNS向拉伸方向取向, BNNS平均夾角從36.9o減小到9.9o,機械模量從2.6增加到6.2 GPa,導(dǎo)熱率從1.7增加到2.4 W m-1K-1;瘜W(xué)吸附鍵具有很強的結(jié)合能,拉伸后材料沒有出現(xiàn)明顯的缺陷,這是拉伸能提高機械模量和導(dǎo)熱率的主要原因之一。


圖2 薄膜制備及形貌分析。無基質(zhì)納米復(fù)合電介質(zhì)的組成結(jié)構(gòu)(a)和薄膜取向拉伸過程(b)的示意圖;無基質(zhì)納米復(fù)合電介質(zhì)薄膜拉伸和熱壓前(c)后(d)橫切面的TEM圖;BNNS的拉曼峰強度與平面方向夾角的偏振光函數(shù)(e)。


  采用相場模擬研究了BNNS對復(fù)合介質(zhì)擊穿強度的影響。結(jié)果發(fā)現(xiàn),高度平行復(fù)合介質(zhì)薄膜表面的BNNS引入電子斥電子層后,電樹枝的生長得到有效減緩,擊穿區(qū)域所占的體積分?jǐn)?shù)最小,并能夠承擔(dān)最高的電場強度,因此聚合物基體的電場分布最溫和,復(fù)合介質(zhì)的擊穿強度實現(xiàn)大幅度提升。


圖3 相場模擬。平行復(fù)合介質(zhì)薄膜表面的BNNS引入電子屏障層后的電樹枝生長(a)及內(nèi)部電場分布(b)的示意圖;不同取向BNNS的電樹枝生長(b,e,g,k)及內(nèi)部電場分布(d,f,h)的示意圖;外加電場強度對應(yīng)的擊穿強度(i)和擊穿區(qū)域體積分?jǐn)?shù)(j)曲線。


  與純弛豫鐵電聚合物相比,無基質(zhì)納米復(fù)合電介質(zhì)的泄漏電流從2.4×10?6 A cm-2顯著下降到1.1×10?7 Acm-2,擊穿強度從340 MV m-1增加到742 MV m-1,放電能量密度從5.2 J cm-3大幅增加到31.8 J cm-3。發(fā)生電擊穿后,采用簡單熱壓可使無基質(zhì)納米復(fù)合介質(zhì)的介電強度恢復(fù)到原來的88%。


圖4電儲能特征。不同拉伸長度后無基質(zhì)納米復(fù)合電介質(zhì)的介電強度(a)、極化曲線(b)和放電密度及效率(c);文獻(xiàn)中P(VDF-TrFE-CFE)基電介質(zhì)材料在場強的擊穿強度和放電密度(d).


圖5循環(huán)和可修復(fù)性。拉伸長度為200%的無基質(zhì)納米復(fù)合電介質(zhì)循環(huán)特性(a),以及不同電極面積對應(yīng)的介電強度(b);電擊穿后無基質(zhì)納米復(fù)合電介質(zhì)熱壓溫度及時間對應(yīng)的修復(fù)后擊穿強度的柱狀圖(c)及極化曲線(d)。


  該論文是上海交通大學(xué)黃興溢教授、錢小石副教授、武漢理工大學(xué)沈忠慧教授,西安交通大學(xué)李盛濤教授等合作完成,論文第一作者是上海交通大學(xué)博士后陳杰,通訊作者是黃興溢教授。論文得到了國家自然科學(xué)基金委,上海市科委,電力設(shè)備電氣絕緣國家重點實驗室等的資助。


  論文鏈接:https://doi.org/10.1016/j.scib.2021.10.011

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